Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://dspace.lvduvs.edu.ua/handle/1234567890/3840Повний запис метаданих
| Поле DC | Значення | Мова |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Андрійчук, М. | - |
| dc.contributor.author | Andriichuk, M. | - |
| dc.contributor.author | Сеник, В.В. | - |
| dc.contributor.author | Senyk, V.V. | - |
| dc.date.accessioned | 2021-06-17T05:39:07Z | - |
| dc.date.available | 2021-06-17T05:39:07Z | - |
| dc.date.issued | 2019 | - |
| dc.identifier.isbn | 978-1-7281-4029-2 | - |
| dc.identifier.uri | http://dspace.lvduvs.edu.ua/handle/1234567890/3840 | - |
| dc.description | Andriychuk M. Optimization of Parameters of Microstrip T-junction / Mykhaylo Andriychuk, Volodymyr Senyk // Proceedings of 2019 IEEE XVth International Conference on the Perspective Technologies and Methods in MEMS Design (MEMSTECH), Lviv-Polyana, May 22-26, 2019. - Pp. 123-126. - https://ieeexplore.ieee.org/document/8817396 | uk_UA |
| dc.description.abstract | Запропоновано сувору електродинамічну характеристику ТР-переходу мікросмуг на основі методу функції Гріна. Виведено явне аналітичне подання для компонентів вектора електричного поля. Невідомі коефіцієнти у наведеному поданні визначаються поєднанням як аналітичного, так і числового інтегрування. Значення матриці розсіювання розраховуються для конструкції з оптимальними геометричними параметрами. A rigorous electrodynamics' description of microstrip T -junction based on the Green function method is proposed. An explicit analytical representation for the components of electric field vector is derived. The unknown coefficients in the above representation are determined by combination of both the analytical and numerical integration. The values of scattering matrix are calculated for the structure with the optimal geometric parameters. | uk_UA |
| dc.language.iso | other | uk_UA |
| dc.publisher | IEEE | uk_UA |
| dc.subject | мікросмужковий т-перехід | uk_UA |
| dc.subject | модель електродинаміки | uk_UA |
| dc.subject | параметри розсіювання | uk_UA |
| dc.subject | обчислювальне моделювання | uk_UA |
| dc.subject | microstrip t-junction | uk_UA |
| dc.subject | electrodynamics model | uk_UA |
| dc.subject | scattering parameters | uk_UA |
| dc.subject | computational modeling | uk_UA |
| dc.title | Optimization of Parameters of Microstrip T-junction (Scopus) | uk_UA |
| dc.title.alternative | Оптимізація параметрів мікросмужкового Т-переходу (Scopus) | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| Розташовується у зібраннях: | Наукові публікації індексовані в наукометричних базах Web of Science та Scopus | |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| сеник посилання 2.pdf | 390,41 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.