Optimization of Parameters of Microstrip T-junction (Scopus)

Abstract

Запропоновано сувору електродинамічну характеристику ТР-переходу мікросмуг на основі методу функції Гріна. Виведено явне аналітичне подання для компонентів вектора електричного поля. Невідомі коефіцієнти у наведеному поданні визначаються поєднанням як аналітичного, так і числового інтегрування. Значення матриці розсіювання розраховуються для конструкції з оптимальними геометричними параметрами. A rigorous electrodynamics' description of microstrip T -junction based on the Green function method is proposed. An explicit analytical representation for the components of electric field vector is derived. The unknown coefficients in the above representation are determined by combination of both the analytical and numerical integration. The values of scattering matrix are calculated for the structure with the optimal geometric parameters.